碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。在新能源汽車(chē)電機控制器、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應用。而燒結銀由于其超高的導電、導熱性能，低溫無(wú)壓燒結、高溫服役，連接強度高、抗疲勞性能好，成分不含膠、無(wú)有機殘留物等高性?xún)r(jià)比特性在封裝SiC MOSFET中的應用保證SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。燒結  曲線(xiàn)如下：

燒結前X-ray檢查

  燒結后孔洞率≤1%

  剪切強度